兩個(gè)月前，英特爾(Intel)高層MarkBohr指“無(wú)晶圓廠經(jīng)營(yíng)模式快不行了”的說(shuō)法，引發(fā)不少熱烈討論;以下這篇由顧問(wèn)機(jī)構(gòu)InternationalBusinessStrategies(IBS)執(zhí)行長(zhǎng)HandelJones所撰寫(xiě)的分析文章，或許可以提供一些反駁論點(diǎn)。

　　目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)究竟有哪些?

　　1.28奈米制程節(jié)點(diǎn)的參數(shù)良率尚未到達(dá)預(yù)期水準(zhǔn)：

　　在28奈米節(jié)點(diǎn)，包括隨機(jī)摻雜擾動(dòng)(randomdopantfluctuations)、線(xiàn)寬、線(xiàn)間距變動(dòng)，以及導(dǎo)孔電阻值(viaresistance)等會(huì)影響RC相關(guān)時(shí)序的種種問(wèn)題，為目標(biāo)規(guī)格帶來(lái)不可預(yù)知且低落的參數(shù)良率。這種制程變異帶來(lái)不斷增加的漏電、功耗與良率等沖擊，而晶圓代工業(yè)者與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商所面臨的挑戰(zhàn)如下圖所示。

　　為了弭平圖中所示的鴻溝，晶圓代工廠的制程技術(shù)團(tuán)隊(duì)與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)之間，需要有一個(gè)IDM形式的溝通介面。大型無(wú)晶圓廠晶片業(yè)者與晶圓代工廠，具備建立該種介面的財(cái)源，也能合作解決問(wèn)題;但是較小型的廠商將會(huì)面臨財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)。不過(guò)關(guān)鍵是，誰(shuí)應(yīng)該負(fù)責(zé)建立那種IDM形式的溝通規(guī)則，并支付所需成本?是無(wú)晶圓廠業(yè)者、晶圓代工廠，還是兩邊都要負(fù)擔(dān)?看來(lái)其中有很多都是需要雙方共享的。

　　半導(dǎo)體制程演進(jìn)過(guò)程中，晶圓代??工廠與無(wú)晶圓廠業(yè)者之間的技術(shù)鴻溝越來(lái)越深

　　2.要成為晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭，所需支出的資本越來(lái)越高：

　　臺(tái)積電(TSMC)的2012年資本支出為80億美元，也就是每1萬(wàn)片晶圓需要10億美元成本，以因應(yīng)每月8萬(wàn)片晶圓的28奈米與20奈米制程額外產(chǎn)能。三星(Samsung)的非記憶體業(yè)務(wù)2012年資本支出金額也在80億美元左右(官方公布為65億美元)，大約也是供應(yīng)每月8萬(wàn)片的額外產(chǎn)能。

　　Globalfoundries則是正在提升Malta晶圓廠的產(chǎn)出，計(jì)劃在目前Dresden晶圓廠每月8萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能之外，再增加每月3萬(wàn)片晶圓的額外產(chǎn)能。至于聯(lián)電(UMC)，其2012年資本支出金額為20億美元，并宣布其Fab12廠將籌資80億美元。只有很少數(shù)的半導(dǎo)體廠商有能力在14奈米節(jié)點(diǎn)投資更大產(chǎn)能所需的成本，因此無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商也會(huì)去選擇*佳的合作對(duì)象。

　　3.隨著晶片微縮，制程技術(shù)復(fù)??雜度也更高：

　　無(wú)論是對(duì)IDM廠商或是晶圓代工業(yè)者來(lái)說(shuō)一個(gè)很大的問(wèn)題是，隨著晶片微縮，開(kāi)發(fā)先進(jìn)制程技術(shù)的成本也越來(lái)越高，如下方圖所示。在20奈米節(jié)點(diǎn)，主要的成本來(lái)自于bulkCMOS技術(shù)，但到了14奈米節(jié)點(diǎn)則是FinFET(已知英特爾在22奈米節(jié)點(diǎn)就使用FinFET)。

開(kāi)發(fā)新一代制程技術(shù)所需成本

　　據(jù)估計(jì)，要成為領(lǐng)導(dǎo)廠商，開(kāi)發(fā)FinFET制程技術(shù)所需成本約在20至30億美元，若不想落后太多*起碼也要投資18億美元;以研發(fā)成本占據(jù)總營(yíng)收10%的比例來(lái)計(jì)算，需要達(dá)到90億美元的營(yíng)收才夠，而且技術(shù)開(kāi)發(fā)時(shí)間超過(guò)2年。而在14奈米節(jié)點(diǎn)，要擁有適合的晶圓制程技術(shù)以及廠房設(shè)備，以每月4萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能計(jì)算，成本將超過(guò)50億美元。

　　若要升級(jí)18寸晶圓，以每月4萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能計(jì)算，則需要100億美元的額外投資，不過(guò)每年也有達(dá)到100億美元營(yíng)收的潛力。因此有能力投入18寸晶圓領(lǐng)域的，會(huì)是那些能取得龐大資金來(lái)源的廠商;但對(duì)晶圓代工廠來(lái)說(shuō)，如果能建立適當(dāng)?shù)臉I(yè)務(wù)模式，回收也會(huì)不錯(cuò)。這么樣一個(gè)高風(fēng)險(xiǎn)、高回收的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，如果晶圓代工廠與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商之間能建立IDM形式的溝聽(tīng)介面，其效益沒(méi)理由會(huì)比一家IDM廠來(lái)得差。

　　下圖是在不同半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)的晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模;估計(jì)到2018年，整體晶圓代工市場(chǎng)將達(dá)630億美元。一家擁有40%全球市占率的晶圓代工業(yè)者，2018年的營(yíng)收規(guī)模可達(dá)252億美元;擁有越高市占率的晶圓代工廠，也能確保高利潤(rùn)(這也會(huì)成為廠商繼續(xù)參與晶圓代工業(yè)務(wù)的動(dòng)力)。

　　不同半導(dǎo)體製程節(jié)點(diǎn)的晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模

　　不同半導(dǎo)體製程節(jié)點(diǎn)的晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模(列表)

　　那些有能力弭平設(shè)計(jì)與制造之間鴻溝的晶圓代工業(yè)者可獲得龐大的財(cái)務(wù)回收，但前提是需要開(kāi)發(fā)能拉近設(shè)計(jì)與制造部門(mén)之間距離的介面與溝通橋梁。在14奈米這樣的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，大概只有兩家──或者*多三家──晶圓代工廠能擁有大量晶圓產(chǎn)能(每月5萬(wàn)片以上)，這些業(yè)者還需要開(kāi)發(fā)能讓他們獲利的業(yè)務(wù)模式。

　　那么，類(lèi)似IDM的晶圓代工廠與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商關(guān)系是怎樣的呢?無(wú)晶圓廠業(yè)者需要提供更詳細(xì)的設(shè)計(jì)資訊給晶圓代工伙伴，晶圓代工廠則需要有專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì)與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)合作，好讓客戶(hù)的產(chǎn)品能順利在晶圓廠生產(chǎn)。晶圓代工廠也需要在設(shè)計(jì)布建階段，與策略性無(wú)晶圓廠客戶(hù)在程式庫(kù)、IP等支援上有更緊密的合作。無(wú)論是晶圓代工廠或無(wú)晶圓廠內(nèi)部的技能都必須強(qiáng)化，并應(yīng)該建立一種類(lèi)IDM的運(yùn)作架構(gòu)。

　　到20奈米與14奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，晶圓代工業(yè)務(wù)模式還能生存;但未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，等待時(shí)間會(huì)越來(lái)越長(zhǎng)。前面說(shuō)的兩年時(shí)間是不切實(shí)際的，未來(lái)進(jìn)展至每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，會(huì)需要適應(yīng)更長(zhǎng)的制程演進(jìn)時(shí)間。英特爾雖在晶圓制造領(lǐng)域扮演***角色，但關(guān)鍵問(wèn)題是英特爾將如何利用其領(lǐng)導(dǎo)地位優(yōu)勢(shì);英特爾有許多種選項(xiàng)，該公司正遭遇十字路口。

　　晶圓代工與無(wú)晶圓廠晶片供應(yīng)商的業(yè)務(wù)模式，雖然會(huì)遭遇投資與技術(shù)方面的挑戰(zhàn)，但那些問(wèn)題在14奈米節(jié)點(diǎn)之后都能被解決。然而在FinFET的時(shí)代過(guò)去之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會(huì)經(jīng)歷一段非常陰霾的時(shí)期，那對(duì)無(wú)晶圓廠/晶圓代工業(yè)務(wù)模式，以及IDM廠商來(lái)說(shuō)，將是另一個(gè)挑戰(zhàn)的開(kāi)始。